資料詳細
| 項 目 | 内 容 |
|---|---|
| 論文題名(英語) | Carbon-Doped GaAs Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Using TMAs and TEG |
| 資料名(英語) | Journal of Crystal Growth |
| 著者(英語) | KOBAYASHI T., INOUE N. |
| 巻 | 102 |
| 号 | 1-2 |
| 頁 | 183-186 |
| 発行年 | 1990 |
| 発行者(英語) | North-Holland |
| 論文の言語区分 | 英語 (English) |
| アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
| ISSN | 00220248 |
| DOI | 10.1016/0022-0248(90)90900-6 |
| ID | 199002338 |