資料詳細
| 項 目 | 内 容 |
|---|---|
| 論文題名(英語) | Growth Processes in the Initial Stages of Deposition of Ge Films on (100)Si Surfaces by GeH4 Source Molecular Beam Epitaxy |
| 資料名(英語) | Journal of Crystal Growth, Crystal Growth 1989, Part 1, Proceedings of the Ninth International Conference on Crystal Growth |
| 著者(英語) | KOIDE Y., ZAIMA S., OHSHIMA N., YASUDA Y. |
| 巻 | 99 |
| 号 | 1-4 |
| 頁 | 254-258 |
| 発行年 | 1990 |
| 発行者(英語) | North-Holland |
| 論文の言語区分 | 英語 (English) |
| アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
| ISSN | 00220248 |
| DOI | 10.1016/0022-0248(90)90522-M |
| ID | 199002370 |