資料詳細
| 項 目 | 内 容 |
|---|---|
| 論文題名(英語) | LPE Growth of InP and InGaAs on MQW Layers below 500 degrees C |
| 資料名(英語) | Journal of Crystal Growth |
| 著者(英語) | NISHIYAMA S., TAKENAKA C., KUSUNOKI T., FUJII T., NAKAJIMA K. |
| 巻 | 104 |
| 号 | 4 |
| 頁 | 809-814 |
| 発行年 | 1990 |
| 発行者(英語) | North-Holland |
| 論文の言語区分 | 英語 (English) |
| アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
| ISSN | 00220248 |
| DOI | 10.1016/0022-0248(90)90106-U |
| ID | 199003878 |