資料詳細

p-Type Doping by Ion Implantation into ZnSe Epitaxial Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (YODO Tokuo et al., 1990)

項 目 内 容
論文題名(英語) p-Type Doping by Ion Implantation into ZnSe Epitaxial Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
資料名(英語) Journal of Crystal Growth, II-VI Compounds 1989, Proceedings of the Fourth International Conference on II-VI Compounds
著者(英語) YODO Tokuo, UEDA Kazuhiro, YAMASHITA Ken
101
1-4
289-293
発行年 1990
発行者(英語) North-Holland
論文の言語区分 英語 (English)
アブストラクトの言語区分 英語 (English)
ISSN 00220248
DOI 10.1016/0022-0248(90)90984-S
ID 199006732