資料詳細
項 目 | 内 容 |
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論文題名(英語) | Single Crystal Growth of Hexagonal SiC on Cubic Sic by Intentional Polytype Control |
資料名(英語) | Journal of Crystal Growth, Crystal Growth 1989, Part 1, Proceedings of the Ninth International Conference on Crystal Growth |
著者(英語) | YOO Woo Sik, NISHINO Shigehiro, MATSUNAMI Hiroyuki |
巻 | 99 |
号 | 1-4 |
頁 | 278-283 |
発行年 | 1990 |
発行者(英語) | North-Holland |
論文の言語区分 | 英語 (English) |
アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
ISSN | 00220248 |
DOI | 10.1016/0022-0248(90)90527-R |
ID | 199006797 |