資料詳細
| 項 目 | 内 容 |
|---|---|
| 論文題名(英語) | Atomic Level Control in Gas Source MBE Growth of Cubic SiC |
| 資料名(英語) | Journal of Crystal Growth, Crystal Growth 1989, Part 1, Proceedings of the Ninth International Conference on Crystal Growth |
| 著者(英語) | YOSHINOBU Tatsuo, NAKAYAMA Michiaki, SHIOMI Hiromu, FUYUKI Takashi, MATSUNAMI Hiroyuki |
| 巻 | 99 |
| 号 | 1-4 |
| 頁 | 520-524 |
| 発行年 | 1990 |
| 発行者(英語) | North-Holland |
| 論文の言語区分 | 英語 (English) |
| アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
| ISSN | 00220248 |
| DOI | 10.1016/0022-0248(90)90575-6 |
| ID | 199006870 |