資料詳細
| 項 目 | 内 容 |
|---|---|
| 論文題名(英語) | Electrical properties and dopant incorporation mechanisms of Si doped GaAs and (AlGa)As grown on (111)A GaAs surfaces by MBE |
| 資料名(英語) | Journal of Crystal Growth, Molecular Beam Epitaxy 1990, Proceedings of the Sixth International Conference on Molecular Beam Epitaxy |
| 著者(英語) | KADOYA Y., SATO A., KANO H., SAKAKI H. |
| 巻 | 111 |
| 号 | 1-4 |
| 頁 | 280-283 |
| 発行年 | 1991 |
| 発行者(英語) | North-Holland |
| 論文の言語区分 | 英語 (English) |
| アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
| ISSN | 00220248 |
| DOI | 10.1016/0022-0248(91)90985-E |
| ID | 199102049 |