資料詳細
| 項 目 | 内 容 |
|---|---|
| 論文題名(英語) | High hole mobility in strained Ge channel of modulation-doped p-Si0.5Ge0.5/Ge/Si1-xGex heterostructure |
| 資料名(英語) | Journal of Crystal Growth, Molecular Beam Epitaxy 1990, Proceedings of the Sixth International Conference on Molecular Beam Epitaxy |
| 著者(英語) | MIYAO Masanobu, MURAKAMI Eiichi, ETOH Hiroyuki, NAKAGAWA Kiyokazu, NISHIDA Akio |
| 巻 | 111 |
| 号 | 1-4 |
| 頁 | 912-915 |
| 発行年 | 1991 |
| 発行者(英語) | North-Holland |
| 論文の言語区分 | 英語 (English) |
| アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
| ISSN | 00220248 |
| DOI | 10.1016/0022-0248(91)91106-K |
| ID | 199104053 |