資料詳細
| 項 目 | 内 容 |
|---|---|
| 論文題名(英語) | p+/N GaAs-AlGaAs heterostructures grown by gas source MBE using gaseous p- and n-type dopant sources |
| 資料名(英語) | Journal of Crystal Growth, Molecular Beam Epitaxy 1990, Proceedings of the Sixth International Conference on Molecular Beam Epitaxy |
| 著者(英語) | SANDHU A., FUJII T., ANDO H., TAKAHASHI T., ISHIKAWA H., YOKOYAMA N. |
| 巻 | 111 |
| 号 | 1-4 |
| 頁 | 559-563 |
| 発行年 | 1991 |
| 発行者(英語) | North-Holland |
| 論文の言語区分 | 英語 (English) |
| アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
| ISSN | 00220248 |
| DOI | 10.1016/0022-0248(91)91039-D |
| ID | 199105873 |