資料詳細
項 目 | 内 容 |
---|---|
論文題名(英語) | Gas source MEE (migration enhanced epitaxy) growth of InP |
資料名(英語) | Journal of Crystal Growth, Molecular Beam Epitaxy 1990, Proceedings of the Sixth International Conference on Molecular Beam Epitaxy |
著者(英語) | TAKEYASU Nobuyuki, ASAHI Hajime, YU Soon Jae, ASAMI Kumiko, KANEKO Tadaaki, GONDA Shun-ichi |
巻 | 111 |
号 | 1-4 |
頁 | 502-506 |
発行年 | 1991 |
発行者(英語) | North-Holland |
論文の言語区分 | 英語 (English) |
アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
ISSN | 00220248 |
DOI | 10.1016/0022-0248(91)91028-9 |
ID | 199107234 |