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Structural stability of ultrathin InAs/GaAs quantum wells grown by migration enhanced epitaxy (YANO Mitsuaki et al., 1991)

項 目 内 容
論文題名(英語) Structural stability of ultrathin InAs/GaAs quantum wells grown by migration enhanced epitaxy
資料名(英語) Journal of Crystal Growth, Molecular Beam Epitaxy 1990, Proceedings of the Sixth International Conference on Molecular Beam Epitaxy
著者(英語) YANO Mitsuaki, YOH Kanji, IWAWAKI Takanori, IWAI Yoshio, INOUE Masataka
111
1-4
397-401
発行年 1991
発行者(英語) North-Holland
論文の言語区分 英語 (English)
アブストラクトの言語区分 英語 (English)
ISSN 00220248
DOI 10.1016/0022-0248(91)91008-X
ID 199108530