資料詳細
| 項 目 | 内 容 |
|---|---|
| 論文題名(英語) | GeAs as a novel arsenic dimer source for eta-type doping of Ge grown by molecular beam epitaxy |
| 資料名(英語) | Journal of Applied Physics |
| 著者(英語) | KAWANAKA M., IGUCHI N., FURUKAWA A., BABA T. |
| 巻 | 74 |
| 号 | 6 |
| 頁 | 3886-3889 |
| 発行年 | 1993 |
| 発行者(英語) | American Institute of Physics |
| 論文の言語区分 | 英語 (English) |
| アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
| ISSN | 00218979 |
| ID | 199302659 |