資料詳細
| 項 目 | 内 容 |
|---|---|
| 論文題名(英語) | Simulations and experiments of SiC heteroepitaxial growth on Si(001) surface |
| 資料名(英語) | Journal of Applied Physics |
| 著者(英語) | KITABATAKE Makoto, DEGUCHI Masahiro, HIRAO Takashi |
| 巻 | 74 |
| 号 | 7 |
| 頁 | 4438-4445 |
| 発行年 | 1993 |
| 発行者(英語) | American Institute of Physics |
| 論文の言語区分 | 英語 (English) |
| アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
| ISSN | 00218979 |
| ID | 199302940 |