資料詳細
項 目 | 内 容 |
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論文題名(英語) | Scanning tunneling microscopy and spectroscopy characterization of ion-beam-induced dielectric degradation in ultrathin SiO2 films and its thermal recovery process |
資料名(英語) | Journal of Applied Physics |
著者(英語) | WATANABE Heiji, BABA Toshio, ICHIKAWA Masakazu |
巻 | 87 |
号 | 1 |
頁 | 44-48 |
発行年 | 2000 |
発行者(英語) | American Institute of Physics |
論文の言語区分 | 英語 (English) |
アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
ISSN | 218979 |
ID | 200004448 |