資料詳細
| 項 目 | 内 容 |
|---|---|
| 論文題名(英語) | Characterization of Si nanocrystals grown by annealing SiO2 films with uniform concentrations of implanted Si |
| 資料名(英語) | Journal of Applied Physics |
| 著者(英語) | GUHA S., QADRI S.B., MUSKET R.G., WALL M.A., SHIMIZU-IWAYAMA Tsutomu |
| 巻 | 88 |
| 号 | 7 |
| 頁 | 3954-3961 |
| 発行年 | 2000 |
| 発行者(英語) | American Institute of Physics |
| 論文の言語区分 | 英語 (English) |
| アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
| ISSN | 00218979 |
| ID | 200008722 |