資料詳細
| 項 目 | 内 容 |
|---|---|
| 論文題名 | シリコン表面の原子層単位の酸化反応 |
| 論文題名(英語) | Layer-by-layer Oxidation of Si Surfaces |
| 資料名 | 日本物理学会誌 |
| 資料名(英語) | Butsuri |
| 著者 | 渡部 平司, 宮田 典幸, 市川 昌和 |
| 著者(英語) | WATANABE Heiji, MIYATA Noriyuki, ICHIKAWA Masakazu |
| 巻 | 55 |
| 号 | 11 |
| 頁 | 846-853 |
| 発行年 | 2000 |
| 発行者 | 日本物理学会 |
| 発行者(英語) | Physical Society of Japan |
| 論文の言語区分 | 日本語 (Japanese) |
| アブストラクトの言語区分 | 日本語 (Japanese) |
| ISSN | 00290181 |
| ID | 200009357 |