資料詳細
| 項 目 | 内 容 |
|---|---|
| 論文題名(英語) | Effects of end-of-range dislocation loops on transient enhanced diffusion of indum implanted in silicon |
| 資料名(英語) | Journal of Applied Physics |
| 著者(英語) | NODA T., ODANAKA S., UMIMOTO H. |
| 巻 | 88 |
| 号 | 9 |
| 頁 | 4980-4984 |
| 発行年 | 2000 |
| 発行者(英語) | American Institute of Physics |
| 論文の言語区分 | 英語 (English) |
| アブストラクトの言語区分 | 英語 (English) |
| ISSN | 00218979 |
| ID | 200009371 |